近年來，精密功率放大器制造商一直在努力解決產(chǎn)品可靠性的問題，他們所取得的成果也各有不同。2001年，廠商開始將功率控制功能與功率放大器整合在一起，這種做法使得生產(chǎn)良率大幅改善。新技術(shù)的出現(xiàn)通常會以五年為周期，因此現(xiàn)在應該是出現(xiàn)另一波創(chuàng)新高潮的時刻。
對于散熱要求日益嚴格，這是因為信號傳輸過程的負載周期很大，廠商還可能將多只天線整合到手機內(nèi)。產(chǎn)業(yè)趨勢的改變迫使廠商必須確保功率放大器不會受到溫度過高的影響。
精密功率放大器的可靠性需要進一步改善。傳統(tǒng)的可靠性評估方式主要依賴有限的熱模型以及平均故障時間 （MTTF） 等統(tǒng)計資料，它們通常會以特定溫度下的平均故障時間來代表產(chǎn)品的可靠性，這種做法其實并不適當，因為并不知道實際操作時的接合溫度。為了確保功率放大器的長期操作可靠性，設計人員必須進一步提升產(chǎn)品的品質(zhì)。
精密功率放大器的接合溫度會受哪些因素影響
類似于歐姆定律的熱模型，是zui常用的峰值接合溫度分析法，它會以電流源 （單位為瓦特） 代表任何熱源，同時為所有材料熱阻抗 （單位為℃/W），這些材料還能儲存熱量，它們稱為熱容量 （J/℃），并以電容來代表。
精密功率放大器的單晶粒封裝模型。在執(zhí)行靜態(tài)分析時，應將電容忽略，此時接合溫度就如同方程式 （3） 所示，相當于環(huán)境溫度Ta加上功耗與系統(tǒng)熱阻抗的乘積。動態(tài)分析則必須將熱容量一并列入考慮。
將組件的參數(shù)代入方程式（3）即可求出接合溫度，例如無線網(wǎng)絡功率放大器RF3220的參數(shù)值為：Rth=76 ℃/W;P_diss = 0.997 W;Ta = 85 ℃，將其代入方程式即可得到接合溫度為160.8℃。如前所述，接合溫度會受到功耗的影響，只要偏壓電流、輸出功率或效率改變，功耗就會跟著改變，使得接合溫度出現(xiàn)變化。
上述分析適用于封裝導熱性良好并在250 mW輸出功率下操作的功率放大器。由于無線網(wǎng)絡輸出功率較小，設計人員很容易將溫度控制在適當范圍內(nèi)，使產(chǎn)品擁有更長壽命。